El 2N5485 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) en las bandas VHF (Very High Frequency) y UHF (Ultra High Frequency). Este dispositivo es conocido por su alta ganancia y bajo nivel de ruido, lo que lo hace ideal para amplificadores y mezcladores en circuitos de comunicación.
Especificaciones Generales
- Tipo de Transistor: JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión)
- Canal: N
- Encapsulado: TO-92
- Configuración de Pines:
- Drenaje (D)
- Compuerta (G)
- Fuente (S)
- Voltaje Drenaje-Compuerta (VDG): 25 V
- Voltaje Fuente-Compuerta (VGS): -25 V
- Corriente Drenaje (ID): 10 mA
- Disipación de Potencia (Pd): 350 mW
- Temperatura de Funcionamiento: -65 °C a 150 °C
- Frecuencia de Operación: Adecuado para aplicaciones en VHF y UHF.
- Ganancia de Potencia:
- A 100 MHz: 18 – 30 dB
- A 400 MHz: 10 – 20 dB
- Figura de Ruido:
- A 100 MHz: 2 dB
- A 400 MHz: 4 dB
Aplicaciones
- Amplificadores de RF: Para aumentar la amplitud de señales de radiofrecuencia.
- Mezcladores: En circuitos que combinan diferentes frecuencias.
- Preamplificadores: Para mejorar la señal antes de la amplificación principal.
Ventajas
- Bajo Ruido: Ideal para aplicaciones donde la calidad de la señal es crítica.
- Alta Ganancia: Permite amplificar señales débiles de manera efectiva.
- Versatilidad: Puede ser utilizado en una variedad de circuitos de RF.
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