Chips e ICs Electronicos
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Chips e ICs Electronicos
Transistor JFET Canal N 2N5485 para Radiofrecuencia (VHF/UHF) (2 unidades)
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N diseñado para aplicaciones de alta frecuencia (VHF/UHF) en amplificadores y mezcladores. Presenta baja capacitancia de entrada y salida, ideal para señales de radiofrecuencia y circuitos analógicos.
Especificaciones técnicas
- Tipo de componente: Transistor JFET (Field Effect Transistor)
- Polaridad: Canal N
- Aplicación principal: Amplificación y conmutación en radiofrecuencia VHF/UHF
- Voltaje máximo drenaje‑fuente (VDS): 25 V
- Voltaje máximo puerta‑fuente (VGS): ±25 V
- Corriente máxima de drenaje (ID): 30 mA
- Disipación de potencia máxima: ≈350 mW
- Corriente drain‑source con VGS=0 (IDSS): típica 4–10 mA
- Voltaje de corte de puerta (VGS(off)): típicamente −0.5 a −4 V
- Capacitancia de entrada (Ciss): ~5 pF
- Capacitancia de salida (Coss): ~2 pF
- Temperatura de operación: −65 °C a +150 °C
- Encapsulado: TO‑92 estándar
- Configuración de pines (TO‑92):
- Drenaje
- Fuente
- Puerta
SKU: n/a -
Chips e ICs Electronicos
Transistor NPN Darlington Rohm D1765 Alta Ganancia TO-220F
Transistor Darlington NPN modelo D1765 de alta ganancia fabricado por Rohm. Diseñado para aplicaciones de potencia, reguladores y etapas de salida de audio que requieren alta sensibilidad de corriente. Su encapsulado aislado TO-220F facilita el montaje sin necesidad de aislantes adicionales.
Estado
Seminuevo
Especificaciones técnicas
- Tipo: NPN Darlington
- Fabricante: ROHM
- Encapsulado: TO-220F (Full Pack aislado)
- Corriente de Colector (IC): 2 A
- Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 100 V
- Voltaje Colector-Base (VCBO): 100 V
- Ganancia de Corriente (hFE): 2000 min (Alta Ganancia)
- Características especiales: Diodo damper incorporado y resistencia base-emisor integrada.
SKU: n/a -
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Transistor NPN MJ E3055T de Potencia 10A 60V TO-220
Transistor de potencia NPN MJ E3055T ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación lineal. Alta fiabilidad en encapsulado TO-220, perfecto para reparaciones de fuentes de poder y proyectos electrónicos de audio.
Estado
Seminuevo
Especificaciones técnicas
- Tipo de Transistor: NPN
- Encapsulado: TO-220
- Corriente Máxima de Colector (IC): 10 A
- Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 60 V
- Voltaje Colector-Base (VCBO): 70 V
- Disipación de Potencia (PD): 75 W
- Frecuencia de Transición (fT): 2 MHz
- Complementario: MJE2955T (PNP)
SKU: n/a -
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Transistor Original 81AJ340LA Z-5.0 Alta Potencia N-Channel
Transistor de potencia de alta precisión modelo 81AJ340LA serie Z-5.0. Ideal para reparaciones electrónicas de audio y video de alta fidelidad. Componente original garantizado para un rendimiento estable y duradero en circuitos críticos.
Estado
Nuevo
Especificaciones técnicas
- Modelo: 81AJ340LA
- Serie: Z-5.0
- Tipo: Transistor de Potencia N-Channel
- Encapsulado: Estándar de alta disipación térmica
- Aplicación: Amplificación de audio, fuentes conmutadas, equipos industriales.
SKU: n/a -
Chips e ICs Electronicos
Transistor PNP de Potencia TIP42A TO‑220 Seminuevo – Electrónica DIY / Repuestos
Chips e ICs ElectronicosTransistor PNP de Potencia TIP42A TO‑220 Seminuevo – Electrónica DIY / Repuestos
Transistor TIP42A seminuevo, tipo PNP en encapsulado TO‑220, excelente para proyectos de electrónica, control de motores, fuentes de poder, amplificadores y aplicaciones de potencia. Perfecto para técnicos, hobistas y estudiantes.
Estado
Seminuevo
Especificaciones Técnicas
- Tipo: Transistor BJT PNP de Potencia
- Modelo: TIP42A
- Encapsulado: TO‑220 (3 pines)
- Voltaje colector‑emisor (Vceo): aprox. –100 V
- Corriente colector continua (Ic): hasta –3 A
- Potencia máxima disipada: ~40 W
- Montaje: Through‑Hole (para placa o disipador)
- Aplicaciones: Control de cargas, fuentes de poder, amplificadores, drivers
SKU: n/a -
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Transistor PNP MPSA92 de Alta Tensión (300V) para Electrónica (10 unidades)
Transistor bipolar de unión (BJT) tipo PNP de alta tensión adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos con tensiones elevadas. Soporta hasta 300 V y 0,5 A, ideal para fuentes, drivers y amplificadores de señal.
Estado
Nuevo
Especificaciones técnicas
- Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT)
- Polaridad: PNP
- Tensión colector‑emisor máxima (Vceo): 300 V
- Tensión colector‑base máxima (Vcbo): 300 V
- Tensión emisor‑base máxima (Vebo): ~5 V
- Corriente máxima de colector (Ic): 500 mA
- Disipación de potencia máxima (Pd): 625 mW
- Ganancia de corriente continua (hFE): típica ~25‑40
- Frecuencia de transición (fT): ~50 MHz
- Encapsulado: TO‑92 (montaje en orificio pasante)
- Número de pines: 3
- Temperatura de operación: hasta ~150 °C
- Configuración de pines (lado plano hacia ti):
- Pin 1: Emisor
- Pin 2: Base
- Pin 3: Colector (siendo estándar en TO‑92)
SKU: n/a -
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ZK-MT21 | Placa Amplificadora Bluetooth 2.1 50W+50W+100W | Nuevo
Potente módulo amplificador de audio clase D de alta fidelidad. El ZK-MT21 utiliza el chip original para ofrecer una configuración de 2.1 canales, ideal para sistemas de sonido personalizados. Cuenta con controles independientes de frecuencia y volumen para el subwoofer, además de ajuste de agudos y graves para los canales estéreos. Su conectividad Bluetooth 5.0 asegura una transmisión estable y de baja latencia. Incluye protecciones integradas contra sobretensión, cortocircuito y sobrecalentamiento.
SKU: n/a
