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Memoria RAM servidora Micron MT36JSZF51272PZ‑1G4F1AB, 4 GB DDR3‑1333 PC3‑10600R, formato RDIMM 2Rx4 ECC.

Estado:
Seminuevo

Especificaciones técnicas:

Módulo de memoria RAM original Micron, modelo MT36KKSF2G72PZ-1G6P1NE, de 16 GB tipo DDR3 ECC Registered. Totalmente nuevo y certificado, compatible con servidores Huawei y otras plataformas que admiten memorias RDIMM ECC.

Especificaciones técnicas:

• Marca: Micron
• Modelo: MT36KKSF2G72PZ-1G6P1NE
• Capacidad: 16 GB
• Tipo: DDR3 ECC Registered (RDIMM)
• Formato: 2RX4
• Velocidad: 1600 MHz (PC3L‑12800R)
• Voltaje: 1.35V (Low Voltage)
• Latencia CAS: CL11
• Estado: Nuevo
• Certificado por: Huawei
• Compatibilidad: Servidores Huawei y estaciones de trabajo que usen memoria ECC RDIMM DDR3

Módulo Samsung M393A1G40DB0‑CPB2Q de 8 GB DDR4‑2133 ECC Registered, 1Rx4, en excelente estado y probado, ideal para servidores y estaciones de trabajo.

Estado

Seminueva

Especificaciones técnicas

• Marca: Samsung
• Modelo: M393A1G40DB0‑CPB2Q
• Tipo de memoria: DDR4 SDRAM
• Formato: RDIMM (Registered DIMM / ECC Registered)
• Capacidad: 8 GB
• Organización: 1Rx4 (Single Rank, 4 chips por módulo)
• Frecuencia: 2133 MHz (PC4‑17000P)
• Velocidad de transferencia: 17,066 MB/s
• Latencia CAS: CL15
• Voltaje de operación: 1.2 V
• Número de pines: 288 pines
• Tipo de ECC: ECC Registered (con corrección de errores, compatible con servidores y estaciones de trabajo)
• Temperatura operativa: 0 °C a 85 °C
• Compatibilidad: Diseñada específicamente para sistemas con soporte ECC y Registered (no compatible con placas madre de escritorio convencionales)
• Identificador de Samsung: PCA4‑2133P‑RC0‑10‑MB1

Memoria para servidores Samsung 2 GB DDR3‑1333 ECC Registered (PC3‑10600R), módulo RDIMM seminuevo en perfecto estado, ideal para estaciones de trabajo y servidores que requieren memoria con corrección de errores.

Estado

Seminuevo

Especificaciones

• Marca: Samsung
• Modelo: M393B5673EH1‑CH9Q1
• Capacidad: 2 GB DDR3‑1333 (PC3‑10600R)
• ECC Registered (Registered ECC, módulo para servidor)
• 240 pines, CAS‑Latency 9
• Voltaje: 1.5 V
• Rank: 2‑rank x8
• Uso: servidor / workstation con soporte ECC Registered

Memoria RAM marca SK Hynix, modelo HMT125R7BFR8C‑H9 TB AA‑C, con capacidad de 2 GB, tipo DDR3 a 1333 MHz (PC3‑10600R), registrada y con corrección de errores (ECC), formato de 240 pines. En perfecto estado, revisada y lista para ser instalada en servidores o equipos compatibles con módulos ECC registrados.

Estado

Seminueva

Especificaciones técnicas

• Marca: SK Hynix
• Modelo: HMT125R7BFR8C‑H9 TB AA‑C
• Capacidad: 2 GB
• Tipo: DDR3 a 1333 MHz (PC3‑10600R)
• Formato: 240 pines
• Características: ECC registrada, CL9, 2Rx8
• Voltaje: 1.5 V
• Compatibilidad: servidores o estaciones de trabajo con soporte para memoria ECC registrada

La memoria RAM SK hynix HMT31GR7EFR4A-H9 es un módulo de 8GB diseñado para servidores.

• Tipo de memoria: DDR3
• Capacidad: 8GB
• Velocidad: DDR3-1333 (PC3L-10600R)
• Registro: ECC Registered
• Latencia CAS: CL9
• Voltaje: 1.35V
• Formato: 240 pines

Características Principales

• ECC (Error Correction Code): Esta memoria incluye corrección de errores, lo que la hace ideal para aplicaciones críticas en servidores donde la estabilidad y la fiabilidad son esenciales.
• Bajo Voltaje: Funciona a 1.35V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía en comparación con módulos de memoria estándar que operan a 1.5V.