Partes para servidores

Módulo de memoria RAM Hynix HMT112R7TFR8A‑H9 de 1 GB, tipo PC3L‑10600R, ECC Registered, en excelente estado seminuevo. Ideal para servidores HP/Dell compatibles con DDR3 ECC.

Estado: Seminuevo

Especificaciones técnicas:

• Marca: Hynix
• Modelo: HMT112R7TFR8A‑H9
• Capacidad: 1 GB
• Configuración: 1Rx8
• Tipo: DDR3L PC3L‑10600R (1333 MT/s)
• ECC Registered (Server memory)
• Voltaje: 1.35 V
• Pines: 240-pin DIMM
• Número de parte: HMT112R7TFR8A‑H9

Módulo ECC Registered de 2 GB DDR3‑1333 para servidores y estaciones de trabajo. Registro dual (2Rx8), CL9, 240 pines. Ideal para reemplazo o ampliación en ambientes de servidor.

Estado

Seminuevo

Especificaciones técnicas

• Marca: Micron
• Modelo: MT18JSF25672PDZ‑1G4F1DD
• Capacidad: 2 GB
• Velocidad: DDR3‑1333 MHz (PC3‑10600R)
• Formato: RDIMM, ECC Registered, 240‑pin
• CL9, 1.5 V, Dual‑rank (2Rx8)
• Compatible solo con servidores/estaciones de trabajo que soporten ECC y RDIMM

Módulo de memoria RDIMM de servidor 2 GB DDR3‑1333 con ECC, seminuevo y funcionando al 100 %, ideal para servidores compatibles con PC3‑10600R.

Estado

Seminuevo

Especificaciones técnicas

• Marca: Micron
• Modelo: MT18JSF25672PDZ‑1G4D1AB
• Capacidad: 2 GB
• Tipo: DDR3‑1333 MHz ECC Registered (PC3‑10600R)
• Rank: 2Rx8 (dual rank 8)
• Pines: 240‑Pin RDIMM (solo servidores)
• CAS Latency: CL9
• Voltaje: 1,5 V

Módulo de memoria RAM original Micron, modelo MT36KKSF2G72PZ-1G6P1NE, de 16 GB tipo DDR3 ECC Registered. Totalmente nuevo y certificado, compatible con servidores Huawei y otras plataformas que admiten memorias RDIMM ECC.

Especificaciones técnicas:

• Marca: Micron
• Modelo: MT36KKSF2G72PZ-1G6P1NE
• Capacidad: 16 GB
• Tipo: DDR3 ECC Registered (RDIMM)
• Formato: 2RX4
• Velocidad: 1600 MHz (PC3L‑12800R)
• Voltaje: 1.35V (Low Voltage)
• Latencia CAS: CL11
• Estado: Nuevo
• Certificado por: Huawei
• Compatibilidad: Servidores Huawei y estaciones de trabajo que usen memoria ECC RDIMM DDR3

Memoria RAM Micron de 2 GB DDR3 a 1333 MHz (PC3‑10600U), módulo desktop 240 pines. Ideal para ampliar PCs básicos, navegadores, ofimática o soporte de sistemas operativos ligeros.

Estado:

Seminueva

Especificaciones Técnicas:

• Marca/Modelo: Micron MT8JTF25664AZ‑1G4M1
• Capacidad: 2 GB
• Tipo: DDR3 SDRAM Non‑ECC
• Velocidad: 1333 MHz (PC3‑10600U‑9‑11‑A1)
• Configuración: 1Rx8, 240 pines DIMM
• Voltaje: 1.5 V
• Formato: Desktop (no es SODIMM de laptop)

Memoria RAM Samsung de 2 GB modelo M391B5673EH1-CH9 tipo ECC Unbuffered DDR3 PC3-10600E (1333 MHz). Ideal para servidores y estaciones de trabajo compatibles con ECC. Producto seminuevo en perfecto estado, probado y funcionando correctamente.

Especificaciones

• Marca: Samsung
• Modelo: M391B5673EH1-CH9
• Capacidad: 2 GB
• Tipo de memoria: DDR3 ECC Unbuffered (PC3‑10600E)
• Velocidad: 1333 MHz
• Formato: DIMM 240 pines
• Configuración: 2Rx8
• Latencia: CL9‑10‑E1
• Compatibilidad: Servidores con soporte ECC (no compatible con PCs estándar)
• Estado: Seminuevo, en perfecto estado

Módulo Samsung original de 8 GB DDR3L‑1600 (PC3L‑12800R), ECC registrado (RDIMM, 2Rx8), perfecto para servidores o estaciones de trabajo.

Estado:

Seminuevo

Especificaciones:

• Marca: Samsung
• Modelo: M393B1G73QH0‑YK0
• Capacidad: 8 GB
• Tipo: DDR3L‑1600 (PC3L‑12800R)
• Formato: RDIMM registrado
• Error Correction Code: ECC
• Organización: 2Rx8
• Voltaje: 1.35 V (compatible con 1.5 V)
• Latencia: CL11
• Uso: Compatible con servidores Dell, HP, IBM, Supermicro, entre otros.

Especificaciones Clave

• Número de Parte: M393B2G70BH0-YH9Q8
• Capacidad: 16GB (1 módulo de 16GB)
• Tipo: DDR3L (Bajo Voltaje)
• Velocidad: 1333 MT/s (PC3L-10600)
• Factor de Forma: RDIMM de 240 pines (DIMM Registrado)
• Voltaje: 1.35V / 1.5V
• Corrección de Errores: ECC (Código de Corrección de Errores)
• Rango: Doble rango (2Rx4)
• Configuración: x4 (ancho de 4 bits)
• Latencia CAS: CL9

Características

• Soporte ECC: Este módulo incluye capacidades de corrección de errores, lo que lo hace adecuado para aplicaciones críticas donde la integridad de los datos es esencial.
• Compatibilidad: Diseñado para sistemas que soportan memoria DDR3L, puede operar a 1.35V y 1.5V, proporcionando flexibilidad en varios entornos.
• Rendimiento: Con una velocidad de 1333 MT/s, está optimizado para manejar cargas de trabajo más grandes en aplicaciones de servidores y estaciones de trabajo.