BJT PNP 300V.

Transistor bipolar de unión (BJT) tipo PNP de alta tensión adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos con tensiones elevadas. Soporta hasta 300 V y 0,5 A, ideal para fuentes, drivers y amplificadores de señal.

Estado

Nuevo

Especificaciones técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT)
• Polaridad: PNP
• Tensión colector‑emisor máxima (Vceo): 300 V
• Tensión colector‑base máxima (Vcbo): 300 V
• Tensión emisor‑base máxima (Vebo): ~5 V
• Corriente máxima de colector (Ic): 500 mA
• Disipación de potencia máxima (Pd): 625 mW
• Ganancia de corriente continua (hFE): típica ~25‑40
• Frecuencia de transición (fT): ~50 MHz
• Encapsulado: TO‑92 (montaje en orificio pasante)
• Número de pines: 3
• Temperatura de operación: hasta ~150 °C
• Configuración de pines (lado plano hacia ti):
  • Pin 1: Emisor
  • Pin 2: Base
  • Pin 3: Colector (siendo estándar en TO‑92)