electrónica de RF.

Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N diseñado para aplicaciones de alta frecuencia (VHF/UHF) en amplificadores y mezcladores. Presenta baja capacitancia de entrada y salida, ideal para señales de radiofrecuencia y circuitos analógicos.

Especificaciones técnicas

• Tipo de componente: Transistor JFET (Field Effect Transistor)
• Polaridad: Canal N
• Aplicación principal: Amplificación y conmutación en radiofrecuencia VHF/UHF
• Voltaje máximo drenaje‑fuente (VDS): 25 V
• Voltaje máximo puerta‑fuente (VGS): ±25 V
• Corriente máxima de drenaje (ID): 30 mA
• Disipación de potencia máxima: ≈350 mW
• Corriente drain‑source con VGS=0 (IDSS): típica 4–10 mA
• Voltaje de corte de puerta (VGS(off)): típicamente −0.5 a −4 V
• Capacitancia de entrada (Ciss): ~5 pF
• Capacitancia de salida (Coss): ~2 pF
• Temperatura de operación: −65 °C a +150 °C
• Encapsulado: TO‑92 estándar
• Configuración de pines (TO‑92):
  • Drenaje
  • Fuente
  • Puerta