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Transistor JFET Canal N 2N5485 para Radiofrecuencia (VHF/UHF) (2 unidades)

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Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N diseñado para aplicaciones de alta frecuencia (VHF/UHF) en amplificadores y mezcladores. Presenta baja capacitancia de entrada y salida, ideal para señales de radiofrecuencia y circuitos analógicos.

Especificaciones técnicas

  • Tipo de componente: Transistor JFET (Field Effect Transistor)
  • Polaridad: Canal N
  • Aplicación principal: Amplificación y conmutación en radiofrecuencia VHF/UHF
  • Voltaje máximo drenaje‑fuente (VDS): 25 V
  • Voltaje máximo puerta‑fuente (VGS): ±25 V
  • Corriente máxima de drenaje (ID): 30 mA
  • Disipación de potencia máxima: ≈350 mW
  • Corriente drain‑source con VGS=0 (IDSS): típica 4–10 mA
  • Voltaje de corte de puerta (VGS(off)): típicamente −0.5 a −4 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss): ~5 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): ~2 pF
  • Temperatura de operación: −65 °C a +150 °C
  • Encapsulado: TO‑92 estándar
  • Configuración de pines (TO‑92):
    • Drenaje
    • Fuente
    • Puerta

$5.00

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El 2N5485 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) en las bandas VHF (Very High Frequency) y UHF (Ultra High Frequency). Este dispositivo es conocido por su alta ganancia y bajo nivel de ruido, lo que lo hace ideal para amplificadores y mezcladores en circuitos de comunicación.

Especificaciones Generales

  • Tipo de Transistor: JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión)
  • Canal: N
  • Encapsulado: TO-92
  • Configuración de Pines:
    • Drenaje (D)
    • Compuerta (G)
    • Fuente (S)
  • Voltaje Drenaje-Compuerta (VDG): 25 V
  • Voltaje Fuente-Compuerta (VGS): -25 V
  • Corriente Drenaje (ID): 10 mA
  • Disipación de Potencia (Pd): 350 mW
  • Temperatura de Funcionamiento: -65 °C a 150 °C
  • Frecuencia de Operación: Adecuado para aplicaciones en VHF y UHF.
  • Ganancia de Potencia:
    • A 100 MHz: 18 – 30 dB
    • A 400 MHz: 10 – 20 dB
  • Figura de Ruido:
    • A 100 MHz: 2 dB
    • A 400 MHz: 4 dB

Aplicaciones

  • Amplificadores de RF: Para aumentar la amplitud de señales de radiofrecuencia.
  • Mezcladores: En circuitos que combinan diferentes frecuencias.
  • Preamplificadores: Para mejorar la señal antes de la amplificación principal.

Ventajas

  • Bajo Ruido: Ideal para aplicaciones donde la calidad de la señal es crítica.
  • Alta Ganancia: Permite amplificar señales débiles de manera efectiva.
  • Versatilidad: Puede ser utilizado en una variedad de circuitos de RF.

Bo1canastasazules

Peso 0.050 kg
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