ELECTRONICA, Electrónica
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MOSFET de canal N TO-220AB ON Semiconductor FQP17N40
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MOSFET de canal N TO-220AB ON Semiconductor FQP17N40
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- Artículo: NUEVO
- Corriente de drenaje continua máxima: 16 A
- Tipo de paquete: TO-220AB
- Numero de pines: 3
- Modo de canal: Mejora
- Disipación de energía máxima: 170 W
- Voltaje máximo de la fuente de la puerta: -30V, +30V
- Altura: 9,4 mm
- Serie: QFET
- Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
- Largo: 10,1 mm
- Tipo de canal: norte
- Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 400V
- Tipo de montaje: A través del orificio
- Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 270 mΩ
- Voltaje mínimo de umbral de puerta: 3V
- Configuración de transistor: Único
- Numero de elementos por chip: 1
- Ancho: 4,7mm
- Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
- Material de transistor: Si
- Carga de puerta típica @Vgs: 45 nC a 10 V
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