MOSFET de canal N TO-220AB ON Semiconductor FQP17N40

Artículo: NUEVO Corriente de drenaje continua máxima: 16 A

Tipo de paquete:

TO-220AB

Numero de pines:

3

Modo de canal:

Mejora

Disipación de energía máxima: 170 W Voltaje máximo de la fuente de la puerta: -30V, +30V

Altura:

9,4 mm

Serie:

QFET

Temperatura máxima de funcionamiento:

+150 °C

Largo:

10,1 mm

Tipo de canal: norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 400V Tipo de montaje: A través del orificio Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 270 mΩ Voltaje mínimo de umbral de puerta: 3V

Configuración de transistor:

Único

Numero de elementos por chip:

1

Ancho:

4,7mm

Temperatura mínima de funcionamiento:

-55 °C

Material de transistor: Si Carga de puerta típica @Vgs: 45 nC a 10 V